Bahan baku CVD SiC kemurnian dhuwur

Bahan mentah CVD SiC kemurnian dhuwur sing disiapake dening CVD minangka bahan sumber paling apik kanggo pertumbuhan kristal silikon karbida kanthi transportasi uap fisik. Kapadhetan bahan mentah CVD SiC kemurnian dhuwur sing diwenehake dening VeTek Semiconductor luwih dhuwur tinimbang partikel cilik sing dibentuk kanthi pembakaran spontan gas sing ngemot Si lan C, lan ora mbutuhake tungku sintering khusus lan nduweni tingkat penguapan sing meh konstan. Bisa tuwuh kristal tunggal SiC kualitas dhuwur banget. Looking nerusake kanggo pitakonan Panjenengan.

Kirim Pitakonan

Deskripsi Produk

VeTek Semiconductor wis ngembangake sing anyarBahan baku kristal tunggal SiC- Bahan baku CVD SiC kemurnian dhuwur. Produk iki ngisi longkangan domestik lan uga ing tingkat anjog global, lan bakal ing posisi anjog long-term ing kompetisi. Bahan baku silikon karbida tradisional diprodhuksi dening reaksi silikon kemurnian dhuwur langrafit, kang dhuwur ing biaya, kurang ing kemurnian lan cilik ing ukuran.

Teknologi amben fluidized VeTek Semiconductor nggunakake methyltrichlorosilane kanggo ngasilake bahan mentah silikon karbida liwat deposisi uap kimia, lan produk sampingan utama yaiku asam hidroklorat. Asam klorida bisa mbentuk uyah kanthi netralake karo alkali, lan ora bakal nyebabake polusi lingkungan. Ing wektu sing padha, methyltrichlorosilane minangka gas industri sing akeh digunakake kanthi biaya murah lan sumber sing amba, utamane China minangka produser utama methyltrichlorosilane. Mulane, bahan baku CVD SiC kemurnian Tinggi VeTek Semikonduktor nduweni daya saing internasional ing babagan biaya lan kualitas. Kemurnian bahan mentah CVD SiC kemurnian dhuwur luwih dhuwur tinimbang99.9995%.

Kaluwihan saka bahan baku CVD SiC kemurnian dhuwur

High purity CVD SiC raw materials

● Ukuran gedhe lan kapadhetan dhuwur

Ukuran partikel rata-rata kira-kira 4-10mm, lan ukuran partikel bahan baku Acheson domestik <2.5mm. Crucible volume sing padha bisa nahan luwih saka 1.5kg bahan mentahan, sing cocog kanggo ngrampungake masalah pasokan bahan pertumbuhan kristal ukuran gedhe sing ora cukup, nyuda grafitisasi bahan mentah, nyuda bungkus karbon lan ningkatake kualitas kristal.

●Rasio Si/C sing sithik

Iku luwih cedhak karo 1: 1 tinimbang bahan baku Acheson saka cara nyebarake dhewe, sing bisa nyuda cacat sing disebabake dening kenaikan tekanan parsial Si.

●Nilai output dhuwur

Bahan mentah sing ditanam isih njaga prototipe, nyuda rekristalisasi, nyuda grafitisasi bahan mentah, nyuda cacat bungkus karbon, lan nambah kualitas kristal.

● Kemurnian sing luwih dhuwur

Kemurnian bahan mentah sing diasilake kanthi metode CVD luwih dhuwur tinimbang bahan mentah Acheson saka metode nyebarake dhewe. Isi nitrogen wis tekan 0.09ppm tanpa pemurnian tambahan. Bahan mentah iki uga bisa dadi peran penting ing lapangan semi-insulating.

● Biaya luwih murah

Tingkat penguapan seragam nggampangake proses lan kontrol kualitas produk, nalika nambah tingkat panggunaan bahan mentah (tingkat pemanfaatan> 50%, bahan mentah 4.5kg ngasilake ingot 3.5kg), nyuda biaya.

●Tingkat kesalahan manungsa sing sithik

Deposition uap kimia ngindhari impurities ngenalaken dening operasi manungsa.

Bahan mentah CVD SiC kemurnian dhuwur minangka produk generasi anyar sing digunakake kanggo nggantibubuk SiC kanggo tuwuh kristal tunggal SiC. Kualitas kristal tunggal SiC sing tuwuh banget dhuwur. Saiki, VeTek Semiconductor wis nguwasani teknologi iki. Lan wis bisa nyedhiyakake produk iki menyang pasar kanthi rega sing nguntungake.