Ultra Pure Silicon Carbide Powder kanggo Kristal Wutah

VeTek Semiconductor minangka pabrikan lan pemasok profesional, darmabakti kanggo nyedhiyakake Bubuk Karbida Silikon Murni Ultra berkualitas tinggi kanggo Pertumbuhan Kristal. Kanthi kemurnian nganti 99.999% bobot lan tingkat impurity sing sithik banget saka nitrogen, boron, aluminium, lan rereged liyane, iki dirancang khusus kanggo nambah sifat semi-insulasi silikon karbida kemurnian dhuwur. Welcome kanggo takon lan kerjo bareng karo kita!

Kirim Pitakonan

Deskripsi Produk

Minangka pabrikan profesional, VeTek Semiconductor pengin nyedhiyakake bubuk karbida silikon murni ultra berkualitas tinggi kanggo pertumbuhan kristal.

VeTek Semiconductor spesialisasi nyedhiyakake bubuk karbida silikon ultra murni kanggo pertumbuhan kristal kanthi tingkat kemurnian sing beda-beda. Hubungi kita dina iki kanggo mangerteni sing luwih lengkap lan nampa kutipan. Ningkatake riset lan pangembangan semikonduktor kanthi produk berkualitas tinggi VeTek Semiconductor.

VeTek Semiconductor Ultra Pure Silicon Carbide Powder kanggo Crystal Growth disiapake nggunakake metode reaksi fase padat suhu dhuwur, nggunakake bubuk silikon kemurnian dhuwur lan bubuk karbon kemurnian dhuwur minangka bahan mentah. Kanthi kemurnian nganti 99.999% bobot lan tingkat impurity sing sithik banget saka nitrogen, boron, aluminium, lan rereged liyane, iki dirancang khusus kanggo nambah sifat semi-insulasi silikon karbida kemurnian dhuwur.

Kemurnian bubuk karbida silikon kelas semikonduktor tekan 99,999%, dadi bahan mentah sing apik banget kanggo produksi kristal tunggal silikon karbida. Sing mbedakake produk kita saka liyane ing pasar yaiku fitur sing luar biasa babagan pertumbuhan kristal kanthi kacepetan dhuwur. Kanthi tingkat wutah kristal tekan 0.2-0.3 mm / h, iku Ngartekno nyuda wektu wutah kristal lan sudo biaya produksi sakabèhé.

Kualitas wêdakakêna silikon karbida penting kanggo nggayuh asil wutah kristal sing dhuwur lan mbutuhake proses manufaktur sing tepat. Teknologi kita nyakup pemisahan termal ing macem-macem tahapan kanggo mbusak impurities saka macem-macem sifat, nyebabake bubuk karbida silikon semi-insulasi kemurnian kanthi kandungan nitrogen sing sithik. Kanthi luwih ngolah bubuk dadi granula lan nggunakake teknik siklus termal, kita nyukupi syarat pertumbuhan dimensi kristal karbida silikon. Teknologi iki nduweni tujuan kanggo ningkatake kemampuan riset semikonduktor majeng domestik, ningkatake swasembada materi, ngatasi monopoli internasional, lan nyuda biaya manufaktur ing industri semikonduktor karbida silikon domestik, sing pungkasane ningkatake daya saing global.