Wafer wafer Epi

VeTek Semiconductor minangka produsen lan pabrik Wafer Epi profesional ing China. Epi Wafer Holder minangka wafer wafer kanggo proses epitaksi ing pangolahan semikonduktor. Iki minangka alat kunci kanggo nyetabilake wafer lan njamin pertumbuhan seragam lapisan epitaxial. Iki digunakake kanthi akeh ing peralatan epitaksi kayata MOCVD lan LPCVD. Iki minangka piranti sing ora bisa diganti ing proses epitaksi. Sugeng rawuh konsultasi luwih lanjut.

Kirim Pitakonan

Deskripsi Produk

Prinsip kerja Epi Wafer Holder yaiku nahan wafer sajrone proses epitaksi kanggo mesthekake yenwaferana ing suhu sing tepat lan lingkungan aliran gas supaya materi epitaxial bisa didepositake kanthi rata ing permukaan wafer. Ing kahanan suhu sing dhuwur, produk iki bisa ndandani wafer ing kamar reaksi kanthi kuat nalika ngindhari masalah kayata goresan lan kontaminasi partikel ing permukaan wafer.

Epi Wafer Holder biasane digawe sakasilikon karbida (SiC). SiC nduweni koefisien ekspansi termal kurang udakara 4,0 x 10^^-6/ ° C, sing mbantu njaga stabilitas dimensi wadhah ing suhu dhuwur lan nyegah stres wafer sing disebabake dening ekspansi termal. Digabungake karo stabilitas suhu dhuwur banget (bisa tahan suhu dhuwur 1,200 ° C ~ 1,600 ° C), resistance karat lan konduktivitas termal (konduktivitas termal biasane 120-160 W / mK), SiC minangka bahan becik kanggo wafer wafer epitaxial. .

Epi Wafer Holder nduweni peran penting ing proses epitaxial. Fungsi utamane yaiku nyedhiyakake operator sing stabil ing suhu sing dhuwur, lingkungan gas korosif kanggo mesthekake yen wafer ora kena pengaruh sajroneproses wutah epitaxial, nalika njamin wutah seragam saka lapisan epitaxial.Khusus kaya ing ngisor iki:

Fiksasi wafer lan keselarasan sing tepat: Wafer wafer Epi sing dirancang kanthi tliti kanthi tliti mbenerake wafer ing tengah geometris kamar reaksi kanggo mesthekake yen permukaan wafer mbentuk sudut kontak sing paling apik karo aliran gas reaksi. Alignment sing tepat iki ora mung njamin keseragaman deposisi lapisan epitaxial, nanging uga kanthi efektif nyuda konsentrasi stres sing disebabake panyimpangan posisi wafer.

Pemanasan seragam lan kontrol lapangan termal: Konduktivitas termal banget saka bahan silikon karbida (SiC) (konduktivitas termal biasane 120-160 W / mK) nyedhiyakake transfer panas sing efisien kanggo wafer ing lingkungan epitaxial suhu dhuwur. Ing wektu sing padha, distribusi suhu sistem pemanasan dikontrol kanthi apik kanggo njamin suhu seragam ing kabeh permukaan wafer. Iki kanthi efektif ngindhari stres termal sing disebabake dening gradien suhu sing gedhe banget, saengga bisa nyuda kemungkinan cacat kayata wafer warping lan retak.

Kontrol kontaminasi partikel lan kemurnian materi: Panggunaan substrat SiC kemurnian dhuwur lan bahan grafit sing dilapisi CVD nyuda produksi lan difusi partikel sajrone proses epitaksi. Bahan kemurnian dhuwur iki ora mung nyedhiyakake lingkungan sing resik kanggo pertumbuhan lapisan epitaxial, nanging uga mbantu nyuda cacat antarmuka, saéngga ningkatake kualitas lan linuwih lapisan epitaxial.

tahan korosi: Pemegang kudu bisa nahan gas korosif (kayata amonia, trimetil gallium, lsp.) sing digunakake ingMOCVDutawa proses LPCVD, supaya resistance karat banget saka bahan SiC mbantu kanggo ngluwihi umur layanan saka krenjang lan njamin linuwih saka proses produksi.

VeTek Semiconductor ndhukung layanan produk sing disesuaikan, saengga Epi Wafer Holder bisa nyedhiyakake layanan produk sing disesuaikan adhedhasar ukuran wafer (100mm, 150mm, 200mm, 300mm, lsp.). Kita ngarep-arep dadi mitra jangka panjang ing China.

DATA SEM STRUKTUR KRISTAL FILM SIC CVD:

SEM DATA OF CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

Sifat fisik dhasar saka lapisan CVD SiC：

Sifat fisik dhasar saka lapisan CVD SiC
Properti	Nilai Khas
Struktur Kristal	FCC β fase polikristalin, utamané (111) oriented
Kapadhetan	3,21 g/cm³
Kekerasan	Kekerasan 2500 Vickers (beban 500g)
Ukuran Gandum	2~10μm
Kemurnian Kimia	99.99995%
Kapasitas panas	640 J·kg^-1· K^-1
Suhu Sublimasi	2700 ℃
Kekuatan lentur	415 MPa RT 4-titik
Modulus Muda	430 Gpa 4pt tikungan, 1300 ℃
Konduktivitas termal	300W·m^-1· K^-1
Thermal Expansion (CTE)	4.5×10-6K^-1