Aixtron G5 MOCVD Susceptors

VeTek Semiconductor minangka produsen lan inovator Susceptor Aixtron G5 MOCVD terkemuka ing China. Kita wis spesialisasi ing materi lapisan SiC kanggo akèh taun. Kit Susceptors Aixtron G5 MOCVD iki minangka solusi serbaguna lan efisien kanggo manufaktur semikonduktor kanthi ukuran optimal, kompatibilitas, lan produktivitas dhuwur. Sugeng rawuh ing pitakonan kita.

Kirim Pitakonan

Deskripsi Produk

Minangka pabrikan profesional, VeTek Semiconductor pengin menehi Aixtron G5 MOCVD Susceptors kaya Axtron Epitaxy Kab, SiC dilapisibagean grafit lan TaC dilapisibagean grafit. Sugeng rawuh ing pitakonan kita.

Aixtron G5 minangka sistem deposisi kanggo semikonduktor senyawa. AIX G5 MOCVD nggunakake platform reaktor planet AIXTRON sing wis kabukten dening pelanggan produksi kanthi sistem transfer wafer cartridge (C2C) kanthi otomatis. Nggayuh ukuran rongga tunggal paling gedhe ing industri (8 x 6 inci) lan kapasitas produksi paling gedhe. Nawakake konfigurasi fleksibel 6 - lan 4-inch sing dirancang kanggo nyilikake biaya produksi nalika njaga kualitas produk sing apik banget. Sistem CVD planet tembok anget ditondoi kanthi tuwuhing pirang-pirang piring ing tungku siji, lan efisiensi output dhuwur.

VeTek Semiconductor nawakake set lengkap aksesoris kanggo sistem Susceptor Aixtron G5 MOCVD, sing kalebu aksesoris iki:

Thrust Piece, Anti-Rotasi	Ring Distribusi	langit-langit	Holder, Langit-langit, Terisolasi	Cover Plate, Njaba
Cover Plate, Inner	Ring Cover	Disk	Pulldown Cover Disk	Pin
Pin-washer	Planetary Disk	Kolektor Inlet Ring Gap	Kolektor Knalpot Upper	Rana
Ring Dhukungan	Dhukungan Tube

Aixtron G5 MOCVD Susceptor

Struktur Kristal Film CVD SiC:

CVD SIC FILM CRASTAL STRUCTURE

Sifat fisik dhasar saka lapisan CVD SiC:

Sifat fisik dhasar saka lapisan CVD SiC
Properti	Nilai Khas
Struktur Kristal	FCC β fase polikristalin, utamané (111) oriented
Kapadhetan	3,21 g/cm³
Kekerasan	Kekerasan 2500 Vickers (beban 500g)
Ukuran Gandum	2~10μm
Kemurnian Kimia	99.99995%
Kapasitas panas	640 J·kg^-1· K^-1
Suhu Sublimasi	2700 ℃
Kekuatan lentur	415 MPa RT 4-titik
Modulus Young	430 Gpa 4pt tikungan, 1300 ℃
Konduktivitas termal	300W·m^-1· K^-1
Thermal Expansion (CTE)	4.5×10^-6· K^-1