CVD SiC Pancake Susceptor

Sifat fisik sing unggul

VeTek Semikonduktor CVD SiC Pancake Susceptor diprodhuksi nggunakake teknologi deposisi uap kimia (CVD) paling anyar kanggo njamin daya tahan sing apik lan adaptasi suhu sing ekstrim. Ing ngisor iki minangka sifat fisik utama:

● Stabilitas termal: Stabilitas termal dhuwur saka CVD SiC njamin kinerja stabil ing kahanan suhu dhuwur.

● Koefisien ekspansi termal sing kurang: Materi nduweni koefisien ekspansi termal sing sithik banget, sing nyilikake warping lan deformasi sing disebabake owah-owahan suhu.

● Ketahanan korosi kimia: Resistance kimia banget ngidini kanggo njaga kinerja dhuwur ing macem-macem lingkungan atos.

Dhukungan sing tepat lan transfer panas sing dioptimalake

Dilapisi SiC Pancake Susceptor adhedhasar VeTekSemi dirancang kanggo nampung wafer semikonduktor lan menehi dhukungan sing apik sajrone deposisi epitaxial. SiC Pancake Susceptor dirancang kanthi nggunakake teknologi simulasi komputasi canggih kanggo nyilikake warping lan deformasi ing kahanan suhu lan tekanan sing beda. Koefisien ekspansi termal khas kira-kira 4,0 × 10^^-6/ ° C, tegese stabilitas dimensi luwih apik tinimbang bahan tradisional ing lingkungan suhu dhuwur, saéngga njamin konsistensi kekandelan wafer (biasane 200 mm nganti 300 mm).

Kajaba iku, CVD Pancake Susceptor unggul ing transfer panas, kanthi konduktivitas termal nganti 120 W/m·K. Konduktivitas termal sing dhuwur iki bisa kanthi cepet lan efektif nindakake panas, ningkatake keseragaman suhu ing tungku, njamin distribusi panas seragam sajrone deposisi epitaxial, lan nyuda cacat deposisi sing disebabake dening panas sing ora rata. Kinerja transfer panas sing dioptimalake penting kanggo ningkatake kualitas deposisi, sing bisa nyuda fluktuasi proses kanthi efektif lan nambah asil.

Liwat optimasi desain lan kinerja kasebut, VeTek Semiconductor's CVD SiC Pancake Susceptor nyedhiyakake dhasar sing kuat kanggo manufaktur semikonduktor, njamin linuwih lan konsistensi ing kahanan pangolahan sing angel lan nyukupi syarat ketat industri semikonduktor modern kanthi presisi lan kualitas sing dhuwur.

STRUKTUR KRISTAL FILM SIC CVD

Sifat fisik dhasar saka lapisan CVD SiC

Sifat fisik dhasar saka lapisan CVD SiC
Properti	Nilai Khas
Struktur Kristal	FCC β fase polikristalin, utamané (111) oriented
Kapadhetan	3,21 g/cm³
Kekerasan	Kekerasan 2500 Vickers (beban 500g)
Ukuran Gandum	2~10μm
Kemurnian Kimia	99.99995%
Kapasitas panas	640 J·kg-1· K-1
Suhu Sublimasi	2700 ℃
Kekuatan lentur	415 MPa RT 4-titik
Modulus Muda	430 Gpa 4pt tikungan, 1300 ℃
Konduktivitas termal	300W·m-1· K-1
Thermal Expansion (CTE)	4.5×10-6K-1