Dhukungan SiC Coated kanggo LPE PE2061S

VeTek Semiconductor minangka Dhukungan SiC Coated terkemuka kanggo produsen lan inovator LPE PE2061S ing China.We wis spesialisasi ing materi lapisan SiC kanggo pirang-pirang taun.We nawakake Dhukungan SiC Coated kanggo LPE PE2061S sing dirancang khusus kanggo reaktor epitaksi silikon LPE. Dhukungan Dilapisi SiC iki kanggo LPE PE2061S minangka bagian ngisor susceptor tong minyak. Bisa tahan suhu dhuwur 1600 derajat Celsius, ngluwihi umur produk spare part grafit. Sugeng rawuh kanggo ngirim pitakon.

Kirim Pitakonan

Deskripsi Produk

Dhukungan SiC Coated kualitas dhuwur kanggo LPE PE2061S ditawakake pabrikan China VeTek Semiconductor. Tuku Dhukungan Dilapisi SiC kanggo LPE PE2061S sing berkualitas langsung kanthi rega murah.

Dhukungan VeTeK Semiconductor SiC Coated kanggo LPE PE2061S ing peralatan epitaksi silikon, digunakake bebarengan karo susceptor jinis tong kanggo ndhukung lan nahan wafer epitaxial (utawa substrat) sajrone proses pertumbuhan epitaxial.

Piring ngisor utamane digunakake karo tungku epitaxial tong minyak, tungku epitaxial tong minyak duwe ruang reaksi sing luwih gedhe lan efisiensi produksi sing luwih dhuwur tinimbang susceptor epitaxial sing rata.

Dhukungan nduweni desain bolongan bunder lan utamane digunakake kanggo stopkontak ing jero reaktor.

Dhukungan VeTeK Semiconductor SiC Coated kanggo LPE PE2061S yaiku kanggo Sistem Reaktor Fase Cairan Epitaxy (LPE), kanthi kemurnian dhuwur, lapisan seragam, stabilitas suhu dhuwur, tahan korosi, kekerasan dhuwur, konduktivitas termal sing apik, koefisien ekspansi termal sing kurang, lan inertness kimia. .

Sifat fisik dhasar saka lapisan CVD SiC:

Sifat fisik dhasar saka lapisan CVD SiC
Properti	Nilai Khas
Struktur Kristal	FCC β fase polikristalin, utamané (111) oriented
Kapadhetan	3,21 g/cm³
Kekerasan	Kekerasan 2500 Vickers (beban 500g)
Ukuran Gandum	2~10μm
Kemurnian Kimia	99.99995%
Kapasitas panas	640 J·kg-1·K-1
Suhu Sublimasi	2700 ℃
Kekuatan lentur	415 MPa RT 4-titik
Modulus Young	430 Gpa 4pt tikungan, 1300 ℃
Konduktivitas termal	300W·m-1·K-1
Thermal Expansion (CTE)	4.5×10-6K-1