Graphite keropos karo TaC Coated

Porous Graphite karo TaC Coated minangka bahan pangolahan semikonduktor canggih sing diwenehake dening VeTek Semiconductor. Porous Graphite karo TaC Coated nggabungake kaluwihan saka lapisan grafit keropos lan tantalum carbide (TaC), kanthi konduktivitas termal sing apik lan permeabilitas gas. VeTek Semiconductor setya nyedhiyakake produk sing berkualitas kanthi rega sing kompetitif, lan kita ngarepake dadi mitra jangka panjang ing China.

Kirim Pitakonan

Deskripsi Produk

VeTek Semiconductor minangka pabrikan & pemasok China sing utamane ngasilakeGraphite keroposkaro TaC Coated karo akeh taun pengalaman. Muga-muga bisa mbangun hubungan bisnis karo sampeyan.

VeTek Semiconductor Porous Graphite karo TaC Coated material minangka bahan manufaktur semikonduktor revolusioner sing nggabungake grafit keropos kanthi lapisan tantalum carbide (TaC) kanthi sampurna. Graphite Porous iki kanthi materi TaC Coated nduweni permeabilitas sing apik lan porositas sing dhuwur, kanthi porositas maksimal 75%, nyetel rekor industri internasional. Lapisan TaC kemurnian dhuwur ora mung nambah karat lan tahan tahan grafit keropos, nanging uga menehi lapisan perlindungan tambahan, kanthi efektif ngrampungake tantangan kayata pangolahan lan karat.

Panggunaan grafit keropos sing dilapisi TaC bisa ningkatake efisiensi lan kualitas proses manufaktur semikonduktor. Permeabilitas sing apik banget njamin stabilitas materi ing kahanan suhu dhuwur lan kanthi efektif ngontrol paningkatan impurities karbon. Ing wektu sing padha, desain porositas dhuwur nyedhiyakake kinerja difusi gas sing luwih apik kanggo njaga lingkungan pertumbuhan sing murni.

We are setya kanggo nyedhiyani pelanggan karo Porous Graphite banget karo bahan TaC Coated kanggo nyukupi kabutuhan industri manufaktur semikonduktor. Apa ing laboratorium riset utawa produksi industri, materi canggih iki bisa mbantu sampeyan entuk kinerja lan linuwih. Hubungi kita dina iki kanggo sinau luwih lengkap babagan materi revolusioner iki lan miwiti lelampahan inovasi kanggo nyopir manufaktur semikonduktor.

Metode PVT SiC Crystal Growth

PVT method SiC Crystal Growth working diagram

Parameter produk saka Graphite Porous karo TaC Coated

Sifat fisik lapisan TaC
TaC coating Kapadhetan	14,3 (g/cm³)
Emisivitas spesifik	0.3
Koefisien ekspansi termal	6.3 10^-6/K
Kekerasan lapisan TaC (HK)	2000 HK
Resistance	1×10^-5Om *cm
Stabilitas termal	<2500 ℃
owah-owahan ukuran grafit	-10~-20um
Ketebalan lapisan	Nilai khas ≥20um (35um±10um)