SiC Coating Kolektor Ngisor

Kanthi keahlian kita ing manufaktur lapisan CVD SiC, VeTek Semiconductor kanthi bangga nampilake Aixtron SiC Coating Collector Bottom. SiC Coating Collector Bottom iki dibangun nggunakake grafit kemurnian dhuwur lan dilapisi karo CVD SiC, njamin impurity ing ngisor 5ppm. Bebas bae kanggo hubungi kita kanggo informasi luwih lengkap lan pitakonan.

Kirim Pitakonan

Deskripsi Produk

VeTek Semiconductor minangka pabrikan sing setya nyedhiyakake Coating CVD TaC berkualitas tinggi lan Kolektor Coating CVD SiC Coating Bottom lan kerja sama karo peralatan Aixtron kanggo nyukupi kabutuhan pelanggan. Apa ing optimasi proses utawa pangembangan produk anyar, kita siyap menehi dhukungan teknis lan mangsuli pitakon sampeyan.

Aixtron SiC Coating Collector Top, Collector Center lan produk SiC Coating Collector Bottom. Produk kasebut minangka salah sawijining komponen utama sing digunakake ing proses manufaktur semikonduktor maju.

Kombinasi Aixtron SiC dilapisi Collector Top, Collector Center lan Collector Bottom ing peralatan Aixtron nduweni peran penting ing ngisor iki:

Manajemen termal: Komponen kasebut nduweni konduktivitas termal sing apik lan bisa nindakake panas kanthi efektif. Manajemen termal penting ing manufaktur semikonduktor. Lapisan SiC ing Collector Top, Collector Center, lan Silicon Carbide Coated Collector Bottom mbantu mbusak panas kanthi efisien, njaga suhu proses sing cocog, lan ningkatake manajemen termal peralatan.

Inersia kimia lan resistance karat: Aixtron SiC dilapisi Collector Top, Collector Center lan SiC Coating Collector Bottom duwe inersia kimia sing apik banget lan tahan kanggo korosi lan oksidasi kimia. Iki ngidini supaya bisa digunakake kanthi stabil ing lingkungan kimia sing atos kanggo wektu sing suwe, nyedhiyakake lapisan protèktif sing dipercaya lan ndawakake umur layanan komponen kasebut.

Dhukungan kanggo proses penguapan sinar elektron (EB): Komponen iki digunakake ing peralatan Aixtron kanggo ndhukung proses penguapan sinar elektron. Desain lan pilihan materi saka Collector Top, Collector Center lan SiC Coating Collector Bottom mbantu entuk deposisi film seragam lan nyedhiyakake substrat sing stabil kanggo njamin kualitas lan konsistensi film.

Optimasi lingkungan ngembang film: Collector Top, Collector Center lan SiC Coating Collector Bottom ngoptimalake lingkungan ngembang film ing peralatan Aixtron. Inertness kimia lan konduktivitas termal lapisan mbantu nyuda impurities lan cacat lan nambah kualitas kristal lan konsistensi film.

Kanthi nggunakake Aixtron SiC coated Collector Top, Collector Center lan SiC Coating Collector Bottom, manajemen termal lan proteksi kimia ing proses manufaktur semikonduktor bisa digayuh, lingkungan pertumbuhan film bisa dioptimalake, lan kualitas lan konsistensi film bisa ditingkatake. Kombinasi komponen kasebut ing peralatan Aixtron njamin kahanan proses sing stabil lan produksi semikonduktor sing efisien.

Sifat fisik dhasar saka lapisan CVD SiC:

Sifat fisik dhasar saka lapisan CVD SiC
Properti	Nilai Khas
Struktur Kristal	FCC β fase polikristalin, utamané (111) oriented
Kapadhetan	3,21 g/cm³
Kekerasan	Kekerasan 2500 Vickers (beban 500g)
Ukuran Gandum	2~10μm
Kemurnian Kimia	99.99995%
Kapasitas panas	640 J·kg-1·K-1
Suhu Sublimasi	2700 ℃
Kekuatan lentur	415 MPa RT 4-titik
Modulus Young	430 Gpa 4pt tikungan, 1300 ℃
Konduktivitas termal	300W·m-1·K-1
Thermal Expansion (CTE)	4.5×10-6K-1