SiC Coated ICP Etching Carrier

VeTek Semiconductor's SiC Coated ICP Etching Carrier dirancang kanggo aplikasi peralatan epitaksi sing paling nuntut. Digawe saka bahan grafit ultra-murni sing berkualitas tinggi, SiC Coated ICP Etching Carrier duwe permukaan sing rata lan tahan korosi sing apik kanggo nahan kahanan sing angel nalika ditangani. Konduktivitas termal dhuwur saka operator ditutupi SiC njamin distribusi panas sing rata kanggo asil etsa sing apik. VeTek Semiconductor ngarepake mbangun kemitraan jangka panjang karo sampeyan.

Kirim Pitakonan

Deskripsi Produk

Kanthi pengalaman pirang-pirang taun ing produksi SiC Coated ICP Etching Carrier, VeTek Semiconductor bisa nyedhiyakake macem-macem spare parts SiC coated utawa TaC coated kanggo industri semikonduktor. Saliyane ing dhaptar produk ing ngisor iki, sampeyan uga bisa ngatur dhewe SiC dilapisi utawa TaC dilapisi bagean dhewe miturut kabutuhan tartamtu.Welcome kanggo priksaan kita.

VeTek Semiconductor's SiC Coated ICP Etching Carrier, uga dikenal minangka operator ICP, operator PSS, operator RTP, utawa operator RTP, minangka komponen penting sing digunakake ing macem-macem aplikasi ing industri semikonduktor. Silicon carbide coated grafit minangka bahan utama sing digunakake kanggo nggawe operator saiki. Nduwe konduktivitas termal sing dhuwur, luwih saka 10 kali konduktivitas termal saka substrat sapir. Properti iki, digabungake karo kekuatan medan listrik roller dhuwur lan kapadhetan arus maksimum, wis nyebabake eksplorasi silikon karbida minangka panggantos potensial kanggo silikon ing macem-macem aplikasi, utamane ing komponen semikonduktor kanthi daya dhuwur. Piring operator saiki SiC duwe konduktivitas termal sing dhuwur, saengga cocog kanggo proses manufaktur LED. Padha mesthekake boros panas efisien lan nyedhiyani konduktivitas electrical banget, contributing kanggo produksi dhuwur-daya led. Kajaba iku, piring operator iki duwe resistensi plasma sing apik lan umur layanan sing dawa, njamin kinerja lan urip sing dipercaya ing lingkungan manufaktur semikonduktor sing nuntut.

Parameter produk SiC Coated ICP Etching Carrier:

Sifat fisik dhasar saka lapisan CVD SiC
Properti	Nilai Khas
Struktur Kristal	FCC β fase polikristalin, utamané (111) oriented
Kapadhetan	3,21 g/cm³
Kekerasan	Kekerasan 2500 Vickers (beban 500g)
Ukuran Gandum	2~10μm
Kemurnian Kimia	99.99995%
Kapasitas panas	640 J·kg-1·K-1
Suhu Sublimasi	2700 ℃
Kekuatan lentur	415 MPa RT 4-titik
Modulus Muda	430 Gpa 4pt tikungan, 1300 ℃
Konduktivitas termal	300W·m-1·K-1
Thermal Expansion (CTE)	4.5×10-6K-1