Susceptor lapisan MOCVD SiC

VeTek SemikonduktorMOCVD SiC Coating Susceptor digawe saka kualitas dhuwurgrafit, sing dipilih kanggo stabilitas termal lan konduktivitas termal banget (kira-kira 120-150 W/m·K). Sifat-sifat bawaan grafit nggawe bahan sing cocog kanggo nahan kahanan sing atos ing njeroreaktor MOCVD. Kanggo nambah kinerja lan ngluwihi umur layanan, susceptor grafit kasebut kanthi teliti dilapisi karo lapisan silikon karbida (SiC).

MOCVD SiC Coating Susceptor minangka komponen kunci sing digunakake ingdeposisi uap kimia (CVD)lanproses deposisi uap kimia organik logam (MOCVD).. Fungsi utamane yaiku ndhukung lan panas wafer silikon utawa silikon karbida (SiC) lan njamin deposisi gas seragam ing lingkungan suhu dhuwur. Iku produk indispensable ing Processing semikonduktor.

Aplikasi saka susceptor lapisan MOCVD SiC ing pangolahan semikonduktor:

Dhukungan wafer lan pemanasan:

Susceptor lapisan MOCVD SiC ora mung nduweni fungsi dhukungan sing kuat, nanging uga bisa dadi panas kanthi efektifwaferroto-roto kanggo njamin stabilitas proses deposisi uap kimia. Sajrone proses deposisi, konduktivitas termal sing dhuwur saka lapisan SiC bisa kanthi cepet nransfer energi panas menyang saben area wafer, ngindhari overheating lokal utawa suhu ora cukup, saéngga mesthekake yen gas kimia bisa disimpen kanthi rata ing permukaan wafer. Pemanasan seragam lan efek deposisi iki ningkatake konsistensi pangolahan wafer, nggawe ketebalan film permukaan saben seragam wafer lan nyuda tingkat cacat, luwih ningkatake asil produksi lan keandalan kinerja piranti semikonduktor.

Wutah Epitaksi:

IngProses MOCVD, Operator dilapisi SiC minangka komponen kunci ing proses pertumbuhan epitaksi. Iki khusus digunakake kanggo ndhukung lan panas wafer silikon lan silikon karbida, kanggo mesthekake yen bahan ing fase uap kimia bisa seragam lan akurat setor ing lumahing wafer, saéngga mbentuk kualitas dhuwur, struktur film tipis tanpa cacat. Lapisan SiC ora mung tahan kanggo suhu dhuwur, nanging uga njaga stabilitas kimia ing lingkungan proses sing kompleks supaya ora kontaminasi lan karat. Mulane, operator sing dilapisi SiC nduweni peran penting ing proses pertumbuhan epitaksi piranti semikonduktor presisi dhuwur kayata piranti daya SiC (kayata SiC MOSFET lan dioda), LED (utamane LED biru lan ultraviolet), lan sel surya fotovoltaik.

Gallium Nitride (GaN)lan Gallium Arsenide (GaAs) Epitaxy:

Operator sing dilapisi SiC minangka pilihan sing penting kanggo tuwuh lapisan epitaxial GaN lan GaAs amarga konduktivitas termal sing apik lan koefisien ekspansi termal sing sithik. Konduktivitas termal sing efisien bisa nyebarake panas kanthi merata sajrone wutah epitaxial, supaya saben lapisan bahan sing disimpen bisa tuwuh kanthi seragam ing suhu sing dikontrol. Ing wektu sing padha, ekspansi termal sing sithik SiC ngidini supaya tetep stabil kanthi dimensi ing owah-owahan suhu sing ekstrem, kanthi efektif nyuda risiko deformasi wafer, saéngga njamin kualitas lan konsistensi lapisan epitaxial. Fitur iki ndadekake operator sing dilapisi SiC dadi pilihan sing cocog kanggo nggawe piranti elektronik frekuensi dhuwur, daya dhuwur (kayata piranti GaN HEMT) lan komunikasi optik lan piranti optoelektronik (kayata laser lan detektor berbasis GaAs).

VeTek SemikonduktorToko susceptor lapisan MOCVD SiC: