Ngarep > Produk > wafer > 4H Semi Insulating Tipe SiC Substrat
4H Semi Insulating Tipe SiC Substrat
  • 4H Semi Insulating Tipe SiC Substrat4H Semi Insulating Tipe SiC Substrat

4H Semi Insulating Tipe SiC Substrat

Vetek Semiconductor minangka produsen lan pemasok Substrat SiC Semi Insulating 4H profesional ing China. 4H Semi Insulating Type SiC Substrat kita akeh digunakake ing komponen utama peralatan manufaktur semikonduktor. Vetek Semiconductor setya nyedhiyakake solusi produk SiC Tipe Semi Insulating 4H sing canggih kanggo industri semikonduktor. Sugeng rawuh pitakon luwih lanjut.

Kirim Pitakonan

Deskripsi Produk

Vetek Semiconductor 4H Semi Insulating Type SiC nduweni peran kunci ing proses pangolahan semikonduktor. Digabungake karo resistivitas dhuwur, konduktivitas termal sing dhuwur, celah pita lebar lan sifat liyane, digunakake ing lapangan frekuensi dhuwur, daya dhuwur lan suhu dhuwur, utamane ing aplikasi gelombang mikro lan RF. Iku produk komponen indispensable ing proses manufaktur semikonduktor.


Resistivitas Vetek Semiconductor4H Semi Insulating Tipe SiC Substratbiasane antarane 10^6Ω·cm lan 10^9Ω·cm. Resistivitas dhuwur iki bisa nyuda arus parasit lan nyuda gangguan sinyal, utamane ing aplikasi frekuensi dhuwur lan daya dhuwur. Liyane Jahwéh, resistivity dhuwur sakaSubstrat SiC tipe SI 4Hnduweni arus bocor sing sithik banget ing suhu dhuwur lan tekanan dhuwur, sing bisa njamin stabilitas lan linuwih piranti kasebut.


Kekuwatan medan listrik risak saka substrat SiC tipe 4H SI dhuwuré 2.2-3.0 MV/cm, sing nemtokake substrat SiC tipe 4H SI bisa tahan voltase sing luwih dhuwur tanpa rusak, saéngga produk kasebut cocog banget kanggo digunakake ing ngisor iki. voltase dhuwur lan kahanan daya dhuwur. Sing luwih penting, substrat SiC tipe 4H SI nduweni celah pita lebar sekitar 3,26 eV, saengga produk kasebut bisa njaga kinerja insulasi sing apik ing suhu dhuwur lan tegangan dhuwur lan nyuda gangguan elektronik.


Kajaba iku, konduktivitas termal saka substrat SiC tipe 4H SI kira-kira 4,9 W / cm·K, saéngga produk iki bisa nyuda masalah akumulasi panas ing aplikasi daya dhuwur lan ngluwihi umur piranti. Cocog kanggo piranti elektronik ing lingkungan suhu dhuwur.


Kanthi tuwuh aGaN epitaxiallapisan ing substrat silikon karbida semi-insulating, wafer epitaxial GaN basis karbida silikon bisa luwih digawe dadi piranti frekuensi radio gelombang mikro kayata HEMT, sing digunakake ing komunikasi informasi, deteksi radio lan lapangan liyane.


Vetek Semiconductor terus-terusan ngupayakake kualitas kristal lan kualitas pangolahan sing luwih dhuwur kanggo nyukupi kabutuhan pelanggan.Saiki,4-incilan6-inciproduk kasedhiya, lan8-inciproduk ing pembangunan. 


Semi-Insulating SiC Substrat SPESIFIKASI PRODUK DASAR:


BASIC PRODUCT SPECIFICATIONS of Semi-Insulating SiC Substrate


SPESIFIKASI KUALITAS KRISTAL Semi-Insulating SiC Substrat:


CRYSTAL QUALITY SPECIFICATIONS of Semi-Insulating SiC Substrate


4H Semi Insulating Tipe SiC Substrat Deteksi Metode lan Terminologi:


Detection Method and Terminology of 4H Semi Insulating Type SiC Substrate

Hot Tags: 4H Semi Insulating Type SiC Substrat, China, Produsen, Supplier, Pabrik, Disesuaikan, Tuku, Lanjut, Awet, Made in China
Kategori sing gegandhengan
Kirim Pitakonan
Mangga bebas menehi pitakon ing formulir ing ngisor iki. Kita bakal mangsuli sampeyan ing 24 jam.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept